測定晶體顆粒、雜物時(shí)需要注意的

　　如果我們在測定晶體顆粒、查或是類雜物時(shí)，則需要遵守兩個(gè)原則來進(jìn)行選擇負(fù)荷，

　　壓頭或是壓入深度不大于其厚度的十分之一。

　　壓痕的對角線長度則不應(yīng)當(dāng)大于其面積的五分之一，測定其試件平均硬度時(shí)，在試件表面尺寸以及其厚度

　　允許的前提下，需盡量的選擇大負(fù)荷。

　　以避免試件材料結(jié)構(gòu)組織硬度不均勻從而影響試件硬度測定的正確性，為了保證測量的精確度，

　　在情允許的情況時(shí)則需要選擇大負(fù)荷。

　　一般應(yīng)使得壓痕的對角線長度大于二十微米，考慮到試件表面冷加工時(shí)產(chǎn)生的擠壓應(yīng)力硬化層的影響，在

　　選擇負(fù)荷時(shí)應(yīng)在情況許可的情況下選擇大負(fù)荷。

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測定晶體顆粒、雜物時(shí) 需要注意的

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